机译:通过调整量子阱相对于InGaN / GaN多量子阱发光二极管中p掺杂区的位置来改善电致发光性能
机译:通过调节InGaN / GaN多量子阱发光二极管中量子阱相对于p掺杂区域的位置来改善电致发光性能
机译:InGaN / GaN多量子阱蓝色发光二极管中的效率下降与电致发光的蓝移之间的相关性
机译:面内InGaN-GaN多量子阱发光二极管的电致发光中的极化各向异性
机译:具有量子阱的InGaN / GaN发光二极管的电致发光特性
机译:GaN / InGaN发光二极管中量子阱结构的建模和分析。
机译:InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的光电性能变化:电位波动的影响
机译:在纳米孔GaN层上生长的IngaN / GaN多量子孔发光二极管的增强性能
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质